内容简介
本书首先介绍了二维材料的发展和转移矩阵研究方法, 进而分别对半导体异质结、石墨烯和拓扑绝缘体表面这3种典型二维电子气体系在铁磁近邻作用下的自旋相关输运问题进行了较系统的研究和阐述, 根据分析体系的能带结构、电导和磁阻效应等得到了一系列有意义的结果, 对于人们理解二维电子气体系的输运机制提供了有益的参考, 并为纳米电子器件的设计提供理论指导。在自旋电子学理论及未来的技术应用方面均有重要意义。
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本书首先介绍了二维材料的发展和转移矩阵研究方法, 进而分别对半导体异质结、石墨烯和拓扑绝缘体表面这3种典型二维电子气体系在铁磁近邻作用下的自旋相关输运问题进行了较系统的研究和阐述, 根据分析体系的能带结构、电导和磁阻效应等得到了一系列有意义的结果, 对于人们理解二维电子气体系的输运机制提供了有益的参考, 并为纳米电子器件的设计提供理论指导。在自旋电子学理论及未来的技术应用方面均有重要意义。